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IRLL3303PBF

更新時間:2025-06-15 08:13:26

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市南科功率半導體有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司
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IRLL3303PBF外觀圖

IRLL3303PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

IRLL3303PBF 概述

IRLL3303PBF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下產(chǎn)品）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在4.5V柵極驅(qū)動下典型Rds(on)值為20mΩ。其最大漏源電壓Vds可達30V，連續(xù)漏極電流Id在25℃條件下為3.8A。此MOSFET適用于多種應用場合如負載開關(guān)、電源管理等需要高效功率轉(zhuǎn)換的電路中。例如在DC-DC轉(zhuǎn)換器設計中，由于其低導通損耗和快速開關(guān)速度，有助于提高整體轉(zhuǎn)換效率。在使用時需注意散熱設計以確保可靠工作，特別是在較高環(huán)境溫度或大電流應用場景下應考慮添加適當?shù)纳崞４送?，為了充分發(fā)揮其性能，建議遵循制造商提供的推薦PCB布局指南。

IRLL3303PBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
80
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
31 毫歐 @ 4.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
840pF @ 25V
功率 - 最大
1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223
包裝
管件

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IRLL014NTRL
IRLL014NTRPBF
IRFZ44N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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