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IRLB4132PBF

更新時間:2025-05-16 06:20:22

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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原裝現(xiàn)貨

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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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深圳市華普冠科電子科技有限公
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代理渠道可排單訂貨

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北京金州智業(yè)科技有限公司
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IRLB4132PBF 概述

IRLB4132PBF是英飛凌科技生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，采用TO-220封裝。該器件具有低導通電阻和高電流能力，非常適合用于電源管理、電機驅(qū)動和其他需要高效開關(guān)的應(yīng)用場景。其最大漏極電流可達74A，柵源電壓為±20V。在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，它能夠有效降低能量損耗，提高系統(tǒng)效率。此外，由于其良好的熱性能，適用于緊湊型設(shè)計，減少散熱需求。在使用時應(yīng)注意控制信號的完整性以確?？煽块_關(guān)，并根據(jù)實際電路布局考慮適當?shù)纳岽胧?

IRLB4132PBF 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
10,670現(xiàn)貨
系列
HEXFET?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
78A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.5 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
54 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5110 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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