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IRL7833STRLPBF

更新時間:2025-05-20 00:59:25

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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深圳市億泰科技有限公司
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安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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深圳市科翼源電子有限公司
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深圳市愛冠偉業(yè)電子有限公司
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20
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只做原裝，假一罰十

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

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公司現(xiàn)貨訂貨免費提供樣品技術支持

深圳市萊克訊科技有限公司
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原包裝進口正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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深圳市粵東誠信電子有限公司
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深圳市偉芯源電子科技有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
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IRL7833STRLPBF外觀圖

IRL7833STRLPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRL7833STRLPBF 概述

IRL7833STRLPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用先進的TrenchFET技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適合用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。該元件封裝為SOT-223，體積小巧，便于PCB布局設計。此MOSFET常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關和電池管理電路中。其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達16A（在25°C條件下），適用于筆記本電腦、智能手機和平板電腦等便攜式設備的電源管理電路。使用時需注意其工作溫度范圍為-55°C至175°C，并且要確保柵極驅(qū)動電壓不超過最大額定值以避免損壞器件。在實際應用中，建議搭配適當?shù)纳岽胧┮员ＷC最佳性能。

IRL7833STRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
150A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.8 毫歐 @ 38A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
47nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4170pF @ 15V
功率 - 最大
140W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRL7833STRLPBF-NDIRL7833STRLPBFTR

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IRL7833
IRL7833L
IRL7833PBF
IRL7833S
IRL7833SPBF
IRL7833STRR
IRL7833STRRPBF
IR2103S

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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