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IRL6372TRPBF

更新時間:2025-07-04 01:22:25

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存，支持實單

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深圳市芯齊壹科技有限公司
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官網(wǎng)可查icscjh.com

深圳市萬佳電子貿易有限公司
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深圳市泰佳興電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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終端可免費供樣,支持BOM配單

深圳誠思涵科技有限公司
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深圳市華銳源電子科技有限公司
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只做原裝報價當天為準

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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

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100%進口原裝長期供應絕對優(yōu)勢價格(誠信經營)

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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云漢時代半導體(深圳）有限公
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司
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優(yōu)勢國外原裝現(xiàn)貨2周，價優(yōu)

深圳市硅宇電子有限公司
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15988
Infineon(英飛凌)
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市南科功率半導體有限公司
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686868
NK/南科功率
SO8/2025+
南科國產替代

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
IRL6372TRPBF
TDA7388 國
300000
Infineon(英飛凌)
SOP8/23+
一級代理商可提供技術方案支持

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IRL6372TRPBF外觀圖

IRL6372TRPBF

International Rectifier FET - 陣列

MOSFET N-CH DUAL 30V 8.1A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRL6372TRPBF 概述

IRL6372TRPBF是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，適用于表面貼裝工藝?；A描述為最大漏源電壓Vds為40V，連續(xù)漏極電流Id為85A，具有低導通電阻Rds(on)特性，在柵極驅動電壓為10V時典型值僅為2.8mΩ。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電源管理模塊以及電機驅動控制電路。在筆記本電腦和服務器電源系統(tǒng)中常被用作同步整流開關。使用時需注意散熱設計以保證器件工作溫度在安全范圍內，并確保柵極驅動電壓足夠高以便充分開啟MOSFET降低導通損耗。在實際電路設計中可參考官方提供的應用筆記進行PCB布局優(yōu)化以提高整體性能。

IRL6372TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
HEXFET®
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
17.9 毫歐 @ 8.1A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.1V @ 10µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1020pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRL6372TRPBFTR

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