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IRL3102STRL

更新時間:2025-05-17 16:45:37

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詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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IRL3102STRL外觀圖

IRL3102STRL

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRL3102STRL 概述

IRL3102STRL是一款由國際整流器公司（現為英飛凌科技的一部分）生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的HEXFET技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為20V，連續(xù)漏極電流（Id）可達65A，非常適合用于直流-直流轉換器、負載點調節(jié)器及電池供電設備等場景。封裝形式為D2PAK，適合表面貼裝工藝，有助于提高電路板的空間利用率。在設計時應注意確保柵極驅動電路的穩(wěn)定性和足夠的散熱措施以保證最佳性能。由于其高效的能量轉換能力，廣泛應用于計算機、通信設備以及消費類電子產品中。

IRL3102STRL 規(guī)格參數

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
61A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
13 毫歐 @ 37A，7V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
700mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
58nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 15V
功率 - 最大
89W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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IRL3102PBF
IRL3102S
IRL3103
IRL3103DISTRL
IRL3103L
IRF830

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