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IRFZ44VZPBF

更新時間:2025-07-09 18:25:20

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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100500
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海芯未來半導體電子（深圳）有
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

深圳市星宇佳科技有限公司
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只做原廠原裝假一罰十

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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市捷立輝科技有限公司
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深圳市譽輝天成電子有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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IRFZ44VZPBF外觀圖

IRFZ44VZPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRFZ44VZPBF 概述

IRFZ44VZPBF是由英飛凌科技公司生產的N溝道增強型MOSFET。它采用TO-220封裝，適用于多種功率應用。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點，在柵極電壓為10V時，最大導通電阻僅為17.5毫歐姆。其漏源電壓（VDSS）可達55V，連續(xù)漏極電流（ID）在25℃下為49A。這款MOSFET廣泛應用于電源管理、電機驅動、不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器等領域。例如在直流電機驅動電路中，可作為功率開關使用，有效控制電機的轉速與方向。使用時需注意散熱設計以確保器件工作在安全溫度范圍內，避免因過熱導致性能下降或損壞。根據(jù)具體的應用場景合理選擇柵極電阻值，優(yōu)化開關特性。

IRFZ44VZPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
57A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫歐 @ 34A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
65nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1690pF @ 25V
功率 - 最大
92W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRFZ44VZPBF

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IRFZ14STRLPBF
IR2103

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