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IRFS31N20DTRLP

更新時間:2025-07-15 23:45:20

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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原裝特價提供樣品

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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89000
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

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Infineon(英飛凌)
D2PAK/23+
一級代理商可提供技術方案支持

深圳市科鑫美電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

深圳市得捷芯城科技有限公司
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Infineon(英飛凌)
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

深圳市安富世紀電子有限公司
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終端可免費供樣，支持BOM配單

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

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深圳市硅宇電子有限公司
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官網(wǎng)可查icscjh.com

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深圳市捷立輝科技有限公司
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只做原裝原廠原裝假一罰十有掛就有

中科航電（深圳）電子集團有限
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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N/A/22+
可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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深圳市萊杰信科技有限公司
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TO263/25+
代理分銷現(xiàn)貨庫存，本公司承諾原裝假一賠百

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IRFS31N20DTRLP外觀圖

IRFS31N20DTRLP

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRFS31N20DTRLP 概述

IRFS31N20DTRLP是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件具有低導通電阻和高電流能力，適用于高效功率轉換應用。其最大漏極-源極電壓為200V，連續(xù)漏極電流可達31A，非常適合用于開關電源、電機驅動器和其他需要高壓切換的場合。在電路設計中，推薦使用適當?shù)臇艠O驅動電阻來控制開關速度，以減少EMI并優(yōu)化效率。此外，由于其較高的耐壓特性，在工業(yè)級應用中表現(xiàn)出色，如不間斷電源系統(tǒng)和逆變器等。為了確保最佳性能，請遵循制造商提供的散熱設計指南，并注意不要超過最大額定值。

IRFS31N20DTRLP 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
31A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
82 毫歐 @ 18A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
110nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2370pF @ 25V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRFS31N20DTRLP-NDIRFS31N20DTRLPTR

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IRFS11N50ATRL
IRFS150A
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IRFS17N20DTRR
IR2111

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