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IRFS11N50ATRLP

更新時間:2025-06-20 01:49:46

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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IRFS11N50ATRLP 概述

IRFS11N50ATRLP是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應用。其最大漏極電流為11A，擊穿電壓為500V，適合于電源管理、電機驅(qū)動以及不間斷電源等工業(yè)領(lǐng)域。在電源轉(zhuǎn)換器中使用時，應確保散熱設計良好以保持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。典型電路設計中，可在柵極與源極間添加一個幾十歐姆的電阻來抑制振蕩，并在柵極串聯(lián)一個小電容以減少噪聲干擾。當用于電機驅(qū)動時，注意合理選擇柵極驅(qū)動電壓，確保MOSFET完全開啟，提高系統(tǒng)效率。實際應用中，還需考慮PCB布局對EMI的影響，盡量縮短高頻走線長度。

IRFS11N50ATRLP 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
500 V
閘/源擊穿電壓
+/- 30 V
漏極連續(xù)電流
11 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.52 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
D2PAK
封裝
Reel
下降時間
28 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
170 W
上升時間
35 ns
工廠包裝數(shù)量
800
典型關(guān)閉延遲時間
32 ns

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