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IRFR4105TRPBF

更新時間:2025-07-04 15:12:44

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
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封裝/批號
說明
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

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只做原裝現(xiàn)貨假一罰十

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原裝現(xiàn)貨

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原廠代理終端免費提供樣品

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海芯未來半導(dǎo)體電子（深圳）有
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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一站配齊原盒原包現(xiàn)貨朱S Q2355605126

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深圳市華美銳電子有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市硅諾電子科技有限公司
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原裝認證有意請來電或QQ洽談

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DPAK/2022+
可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

深圳市偉欣華電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨力挺實單

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IRFR4105TRPBF外觀圖

IRFR4105TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRFR4105TRPBF 概述

IRFR4105TRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性。該MOSFET的最大漏源電壓為55V，在柵極 - 源極電壓為10V時，其最大導(dǎo)通電阻僅為3.8mΩ，能夠承受高達74A的連續(xù)漏極電流。這種MOSFET適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，例如電源管理電路中的同步整流、DC - DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動控制等場景。在使用時，需確保散熱良好以保證其性能穩(wěn)定，可將其安裝在適當?shù)纳崞魃?，并且注意?qū)動電路的設(shè)計，以提供合適的柵極驅(qū)動電壓來充分開啟和關(guān)閉MOSFET。

IRFR4105TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
27A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
700pF @ 25V
功率 - 最大
68W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRFR4105PBFTRIRFR4105TRPBF-NDIRFR4105TRPBFTR-ND

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IRFR4105TRPBF
IRFR
IRFR010
IRFR010TR SOT252
IRFR010TRL
IRFR010TRPBF
IRFR014
IR2111

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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