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IRFR1N60ATRPBF

更新時間:2025-07-03 10:51:47

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原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

深圳市偉科芯電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市安富世紀電子有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

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IRFR1N60ATRPBF 概述

IRFR1N60ATRPBF是由英飛凌科技生產的N溝道MOSFET，采用TO-252封裝。該器件設計用于高壓應用，具有低導通電阻和快速開關特性，使其在電源管理和轉換電路中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓（Vds）可達600V，適合于需要高電壓處理能力的場合，如開關電源、逆變器以及照明系統(tǒng)等。在實際應用中，IRFR1N60ATRPBF常被用作功率級開關元件，尤其適用于高頻DC-DC轉換器。使用時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱良好以維持穩(wěn)定工作溫度。此外，在布局PCB時應盡量減小寄生電感，以減少電磁干擾（EMI）。對于初學者而言，建議先參考官方提供的典型應用電路進行設計。

IRFR1N60ATRPBF 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFR1N60A, IRFU1N60A
標準包裝
2,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 歐姆 @ 840mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
229pF @ 25V
功率 - 最大
36W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
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IRFR1N60ATRPBF
IRFR
IRFR010
IRFR010TR SOT252
IRFR010TRL
IRFR010TRPBF
IRFR014
IR2103S

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