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IRFH9310TRPBF

更新時間:2025-07-09 01:08:18

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IRFH9310TRPBF外觀圖

IRFH9310TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET P-CH 30V 21A PQFN

封裝:8-VDFN

IRFH9310TRPBF 概述

IRFH9310TRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用PQFN 3.3x3.3封裝，具有低導通電阻和高效率特性，適用于高頻開關應用。典型應用場景包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)調(diào)節(jié)器、電池管理電路以及同步整流等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。在實際應用中，建議確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，通常推薦使用10V驅(qū)動電壓。設計PCB布局時應盡量減小源極引腳的寄生電感，這有助于降低開關損耗并提高整體效率。此外，在選擇柵極電阻時需考慮開關速度與EMI性能之間的平衡，過大或過小的柵極電阻都可能影響器件的正常工作。

IRFH9310TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
21A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.6 毫歐 @ 21A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
58nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5250pF @ 15V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-VDFN
供應商設備封裝
PQFN（5x6）
包裝
帶卷 (TR)

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