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IRFH8201TRPBF

更新時間:2025-05-21 08:57:05

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原裝現(xiàn)貨,特價支持

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8PQFN5x6/20+
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IRFH8201TRPBF 概述

IRFH8201TRPBF是由英飛凌科技生產(chǎn)的N溝道MOSFET，采用先進的PowerTrench工藝制造。該器件具有極低的導通電阻和柵極電荷，有助于提高效率并減少開關損耗。它專為高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器設計，適用于筆記本電腦、服務器和電信設備中的電源管理應用。其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流能力高達55A，確保了在緊湊空間內(nèi)的高功率密度性能。封裝形式為PQFN 3x3，便于PCB布局優(yōu)化且節(jié)省空間。在實際應用中，建議搭配適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路以實現(xiàn)最佳開關性能，并注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。

IRFH8201TRPBF 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
15,900現(xiàn)貨
系列
HEXFET?, StrongIRFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
49A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
0.95 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 150μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
111 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
7330 pF @ 13 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），156W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-PQFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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