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IRF9333TRPBF

更新時間:2025-05-21 05:55:16

供應商
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數(shù)量
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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IRF9333TRPBF外觀圖

IRF9333TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF9333TRPBF 概述

IRF9333TRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的P溝道MOSFET。它采用D2PAK封裝，適合表面貼裝應用。該器件具有低導通電阻特性，在4.5V柵源電壓下典型值為17mΩ，這有助于減少功率損耗并提高效率。其最大漏極-源極電壓為-30V，連續(xù)漏極電流在25℃時為-12A，適用于需要高電流處理能力的電路中。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機控制、負載開關以及電池管理等。在實際應用中，設計者應注意保持良好的散熱條件以確保穩(wěn)定運行。在進行PCB布局時，應盡量縮短源極和漏極引腳的走線長度以減小寄生電感影響。如果用于高頻開關電路，需仔細選擇合適的柵極驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關速度與EMI性能。

IRF9333TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
19.4 毫歐 @ 9.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.4V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1110pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF9333TRPBFTR

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