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IRF7233

更新時間:2025-07-04 15:11:30

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IRF7233外觀圖

IRF7233

International Rectifier FET - 單

MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF7233 概述

IRF7233是由國際整流器公司（現為英飛凌科技的一部分）生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的PowerTrench工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓Vds為-20V，在柵極驅動電壓Vgs為4.5V時，最大連續(xù)漏極電流Id為-16A。這款MOSFET適用于需要高效功率轉換的應用場景，如便攜式設備中的DC-DC轉換器、負載點調節(jié)器以及電池供電的系統(tǒng)等。在實際應用中，應確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以保證MOSFET處于飽和區(qū)工作，減少導通損耗。設計PCB布局時，需注意減小源極引腳的電感，防止振蕩現象的發(fā)生。同時，由于其較高的開關速度，在布線時要盡量縮短走線長度并遠離敏感信號，避免產生EMI問題。

IRF7233 規(guī)格參數

標準包裝
95
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫歐 @ 9.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
600mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
74nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6000pF @ 10V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
管件
其它名稱
*IRF7233

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IRF7233TR
IRF7233TRPBF
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IRF710
IRF7101
IRF630N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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