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IRF40H210

更新時間:2025-05-22 19:53:26

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

深圳市正納電子有限公司
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原包裝正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道增值稅票

藍界科技（深圳）有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨

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南科國產(chǎn)替代

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中研正芯（深圳）電子科技有限
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深圳市科圳威電子有限公司
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-

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代理直銷進口原裝

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3725
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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英特翎科技原裝

深圳市智其偉業(yè)電子有限公司
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TSSOP/23+
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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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TSSOP/24+
原裝現(xiàn)貨，可提供訂貨服務

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IRF40H210 概述

IRF40H210是由國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款高壓MOSFET。該器件設計用于高效功率轉(zhuǎn)換應用，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻操作。其最大漏源電壓（Vds）為600V，適合在高電壓電路中使用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、太陽能逆變器以及工業(yè)電源系統(tǒng)等。由于其優(yōu)化的開關性能，可以有效減少能量損耗并提高整體系統(tǒng)效率。在實際應用中，建議采用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路來確保MOSFET能夠可靠地開啟和關閉。同時，為了防止過熱損壞，應考慮良好的散熱設計或安裝合適的散熱器。在PCB布局時，盡量縮短源極和柵極引線長度以減少寄生電感影響，從而提升電路穩(wěn)定性。

IRF40H210 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
HEXFET?, StrongIRFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.7 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 150μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5406 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-PQFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

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IRF530N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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