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IRF3515STRLPBF

更新時間:2025-07-15 18:27:06

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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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IRF3515STRLPBF外觀圖

IRF3515STRLPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF3515STRLPBF 概述

IRF3515STRLPBF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為55V，適合用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載點電源、電機驅(qū)動以及同步整流電路中。這款MOSFET采用了PQFN 5x6mm封裝，有助于提高功率密度并簡化PCB布局設(shè)計。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻以抑制振蕩現(xiàn)象，并確保適當?shù)纳岽胧┮跃S持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。由于其低柵極電荷特性，在驅(qū)動電路設(shè)計時可選用較小的驅(qū)動電流，從而降低整體系統(tǒng)功耗。注意在PCB布線時要盡量縮短源極到驅(qū)動回路的路徑，以減少寄生電感影響開關(guān)性能。

IRF3515STRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
41A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
107nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2260pF @ 25V
功率 - 最大
200W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
IRF3515STRLPBFDKR

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