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IPP65R660CFD

更新時間:2025-05-16 01:06:37

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IPP65R660CFD 概述

IPP65R660CFD是英飛凌科技公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的CoolMOS?技術，專為高效能電源轉換應用設計。其具有低導通電阻和低柵極電荷，有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率。此款MOSFET適用于多種應用場景，如服務器電源、通信電源、太陽能逆變器以及不間斷電源（UPS）等需要高效能量轉換的場合。在具體應用中，建議根據電路的實際需求選擇合適的驅動電壓，并注意PCB布局以優(yōu)化熱性能。例如，在設計高功率密度的開關電源時，應確保良好的散熱設計，并合理設置柵極電阻來控制開關速度，避免過高的dv/dt和di/dt導致電磁干擾問題。

IPP65R660CFD 規(guī)格參數

數據列表
IPx65R660CFD
標準包裝
500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
660 毫歐 @ 2.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 200µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
615pF @ 100V
功率 - 最大
62.5W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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