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IPD65R420CFD

更新時間:2025-06-10 04:41:10

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IPD65R420CFD 概述

IPD65R420CFD是由英飛凌科技生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用CoolMOS技術，具備低導通電阻和高效開關性能，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓為650V，適用于高電壓應用場景如PC電源、服務器電源和LED照明驅動器等。在具體應用中，由于其低開關損耗特性，非常適合用于PFC（功率因數校正）電路以及LLC諧振轉換器拓撲結構。設計時應注意柵極驅動電路的設計，確保MOSFET能夠快速且可靠地開關，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。同時，在布局PCB時應盡量減小寄生電感，避免影響器件的開關性能并減少EMI問題。

IPD65R420CFD 規(guī)格參數

數據列表
IPx65R420CFD
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
420 毫歐 @ 3.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 340µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
870pF @ 100V
功率 - 最大
83.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
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