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IPD60R450E6

更新時間:2025-05-20 13:06:38

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IPD60R450E6 概述

IPD60R450E6是由英飛凌科技公司生產的MOSFET功率晶體管。該器件采用CoolMOS技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高效功率轉換應用。其主要應用場景包括開關電源、適配器、照明電源、電池充電器等需要高性能功率開關的場合。在這些應用中，它能夠顯著提高能效并減小系統(tǒng)尺寸。使用時建議注意散熱設計，確保器件工作溫度在安全范圍內。典型電路設計中可采用標準TO-220封裝布局，配合適當的PCB散熱焊盤以改善熱性能。在驅動設計方面，建議使用合適的柵極電阻來優(yōu)化開關特性，避免過沖電壓損壞器件。同時需要注意柵極電壓要保持在規(guī)定范圍內，通常推薦12-15V以確?？煽繉?。

IPD60R450E6 規(guī)格參數

數據列表
IPx60R450E6
產品培訓模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫歐 @ 3.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 280µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
620pF @ 100V
功率 - 最大
74W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPD60R450E6-NDSP000801092

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IPD600N25N3 G
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IR2153

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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