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IPD220N06L3 G

更新時間:2025-05-25 09:34:24

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IPD220N06L3 G 概述

IPD220N06L3 G是英飛凌公司生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為10V時典型值僅為2.4mΩ。它適用于多種應用場景，如DC - DC轉換器、負載開關和電池管理等。在DC - DC轉換器中，其低導通損耗有助于提高轉換效率。作為負載開關使用時，可快速切換并承受較大電流。在電池管理系統里，能夠可靠地控制充放電回路。設計電路時應注意合適的柵極驅動電壓以確保完全開啟，并考慮散熱設計以保證器件穩(wěn)定工作。

IPD220N06L3 G 規(guī)格參數

數據列表
IPD220N06L3 G
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 11µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1600pF @ 30V
功率 - 最大
36W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
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