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IHW30N110R3

更新時間:2025-05-27 09:35:08

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IHW30N110R3 概述

IHW30N110R3是由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的高性能IGBT器件。這款IGBT專為高壓應用設計，具有高開關速度和低導通損耗的特點。它能夠承受高達1100V的電壓，集電極-發(fā)射極最大連續(xù)電流為30A，適用于工業(yè)驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等需要高效能量轉(zhuǎn)換的應用場景。在實際應用中，建議使用適當?shù)纳岽胧┮源_保器件穩(wěn)定工作，如安裝足夠大的散熱器并涂抹高質(zhì)量的導熱硅脂。其典型電路設計包括與反并聯(lián)二極管配合使用，用于處理感性負載產(chǎn)生的反向電流。此外，在PCB布局時應盡量縮短引線長度，減少寄生電感對開關性能的影響。注意控制信號的完整性，避免因噪聲干擾導致誤觸發(fā)。

IHW30N110R3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IHW30N110R3
標準包裝
240
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
TrenchStop™
IGBT 類型
溝道
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1100V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.75V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
60A
功率 - 最大
333W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
PG-TO247-3
包裝
管件
其它名稱
IHW30N110R3FKSA1SP000702510

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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