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HIP6601BECB-T

更新時間:2025-05-24 19:30:10

供應商
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詢價

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HIP6601BECB-T外觀圖

HIP6601BECB-T

Intersil PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關

IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤

HIP6601BECB-T 概述

HIP6601BECB-T是Intersil公司（現(xiàn)已被Renesas收購）生產(chǎn)的一款高效降壓控制器。該芯片設計用于驅動N溝道MOSFET，適用于筆記本電腦、工業(yè)設備和通信系統(tǒng)的電源管理應用。它能提供精確的電壓調節(jié)，并支持從5V至24V的寬輸入電壓范圍。HIP6601BECB-T采用同步整流技術，可實現(xiàn)高達90%以上的轉換效率，在節(jié)能方面表現(xiàn)出色。此外，其內置的軟啟動功能有助于減小浪涌電流，保護系統(tǒng)免受沖擊。在電路設計中，通常與外部電感器、電容器及MOSFET配合使用以構建完整的DC-DC轉換電路。在使用時需注意PCB布局以優(yōu)化熱性能并確保穩(wěn)定運行。封裝形式為SOIC-8，便于焊接和集成到緊湊的設計中。

HIP6601BECB-T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
集成電路 (IC)
家庭
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關
系列
-
配置
高端和低端，同步
輸入類型
PWM
延遲時間
-
電流 - 峰
400mA
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
2
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
15V
電源電壓
10.8 V ~ 13.2 V
工作溫度
0°C ~ 85°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤
供應商設備封裝
8-SOIC-EP
包裝
帶卷 (TR)

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