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FQPF9N90C

更新時間:2025-05-16 08:59:35

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官網可查icscjh.com

深圳市能元時代電子有限公司
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Fairchild/ON
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百分百原裝，價格優(yōu)勢可提供技術支持，免費送樣品

深圳市華美銳科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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FAI
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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FQPF9N90C外觀圖

FQPF9N90C

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FQPF9N90C 概述

FQPF9N90C是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用TO-220F封裝，具有低導通電阻和高擊穿電壓特性，適用于高壓高頻應用場合。其最大漏源電壓（Vds）可達900V，連續(xù)漏極電流（Id）為13A，非常適合用于開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及工業(yè)控制設備中。在開關電源應用中，FQPF9N90C可以有效降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。由于其快速的開關速度和低柵極電荷，能減少驅動電路的設計復雜度。使用時需注意確保適當的散熱措施，避免因過熱導致性能下降或損壞。此外，在布局PCB時應盡量減小柵極回路的寄生電感，以防止振蕩現象的發(fā)生。

FQPF9N90C 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
900V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 歐姆 @ 4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
58nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2730pF @ 25V
功率 - 最大
68W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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廣東微爾科技有限公司

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