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FQP6N60

更新時間:2025-07-05 15:13:27

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數(shù)量
廠商
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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FQP6N60外觀圖

FQP6N60

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP6N60 概述

FQP6N60是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的N溝道MOSFET。這款功率MOSFET采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源應用。其最大漏極電流為5.7A，擊穿電壓高達600V，適合于高壓、中等功率的應用場景。典型應用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、交流-直流適配器、電機驅(qū)動電路以及不間斷電源系統(tǒng)(UPS)。在設計時，需注意柵極驅(qū)動電路的設計以確?？焖偾腋蓛舻拈_關操作，避免因寄生電感導致的振蕩現(xiàn)象。此外，在布局PCB時應盡量減小源極與柵極之間的引線長度，以減少噪聲干擾并提高整體效率。

FQP6N60 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 3.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 25V
功率 - 最大
130W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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