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FQP2N60

更新時間:2025-05-24 15:10:14

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FQP2N60外觀圖

FQP2N60

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP2N60 概述

FQP2N60是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，現(xiàn)已被安森美半導體（ON Semiconductor）收購。該器件采用TO-220封裝，適用于高壓應用場合。其最大漏源電壓為600V，適合在開關(guān)電源、逆變器和其他功率轉(zhuǎn)換設(shè)備中使用。該MOSFET具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。它可以在各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中找到應用場景，如不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動控制以及照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器等。在實際應用中，需注意其柵極驅(qū)動電壓范圍以確保正常工作，并且要合理設(shè)計散熱方案以避免過熱損壞。對于高頻開關(guān)應用，還需考慮PCB布局優(yōu)化以減小寄生電感對性能的影響。

FQP2N60 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.7 歐姆 @ 1.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大
64W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設(shè)備封裝
TO-220
包裝
管件

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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