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FQP18N20V2

更新時間:2025-07-05 05:18:17

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FQP18N20V2外觀圖

FQP18N20V2

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP18N20V2 概述

FQP18N20V2是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該芯片采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高頻開關應用。典型應用場景包括電源管理、直流-直流轉換器、電動機驅動以及各類需要高效功率控制的電路中。在電源管理領域，它常用于構建同步整流電路，提高整體系統(tǒng)效率；在電機驅動方面，則較高的擊穿電壓（約200V），適合于較高電壓等級的應用場景。但需要注意散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內。電路設計時應遵循推薦的柵極驅動電壓范圍，并考慮適當的緩沖電路來減少電磁干擾。

FQP18N20V2 規(guī)格參數

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1080pF @ 25V
功率 - 最大
123W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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