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FQP13N10L

更新時間:2025-06-19 10:36:58

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FQP13N10L外觀圖

FQP13N10L

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP13N10L 概述

FQP13N10L是一款由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的N溝道增強型MOSFET。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、直流-直流轉換器和其他功率管理應用。其最大漏源電壓為100V，連續(xù)漏極電流可達13A，非常適合用于需要高效率和緊湊設計的場合。在實際應用中，FQP13N10L常被用作同步整流器或初級側開關元件。由于其低柵極電荷和快速開關速度，能夠有效減少開關損耗并提高系統(tǒng)整體效率。使用時應注意驅動電路的設計，確保柵極電壓足夠以完全開啟MOSFET，同時避免過高的電壓損壞柵極氧化層。建議在柵極串聯一個小電阻來抑制振蕩，并在源極和柵極之間并聯一個齊納二極管進行保護。

FQP13N10L 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 6.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
520pF @ 25V
功率 - 最大
65W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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FDN340P

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