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FQD7P06TM

更新時間:2025-05-31 01:12:28

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
FQD7P06TM
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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市科翼源電子有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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深圳市偉科芯電子科技有限公司
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深圳市金華微盛電子有限公司
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公司現(xiàn)貨訂貨免費提供樣品技術支持

深圳市得捷芯城科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

深圳市安富世紀電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市港博科電子有限公司
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深圳市英科美電子有限公司
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保證全新原裝

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳奮發(fā)微電子有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
FQD7P06TM
68900
FAIRCHILD
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市硅諾電子科技有限公司
FQD7P06TM
89000
FAI
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FQD7P06TM外觀圖

FQD7P06TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD7P06TM 概述

FQD7P06TM是Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其最大漏源電壓為60V，在25°C時的連續(xù)漏極電流可達7A。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關、電機驅動以及各種功率控制電路中。由于其緊湊的封裝設計，特別適合空間受限的設計需求。在使用時需注意散熱設計以確保長期穩(wěn)定工作，推薦在PCB布局時優(yōu)化熱路徑并合理選擇柵極驅動電阻值以減小開關損耗。

FQD7P06TM 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
451 毫歐 @ 2.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
295pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQD7P06TM-NDFQD7P06TMTR

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FQD7P06TM(SB82050)
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FQD7N10L
FQD7N10LTM
FQD7N20
FT232BL

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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