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FQD3N40TM

更新時間:2025-06-11 07:26:37

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深圳市科翼源電子有限公司
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FQD3N40TM外觀圖

FQD3N40TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD3N40TM 概述

FQD3N40TM是一款N溝道增強型MOSFET，由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性。該MOSFET的漏源電壓(VDS)可達400V，在柵源電壓(VGS)為10V時，其最大導通電阻(RDS(on))僅為1.2Ω，這有助于降低開關損耗并提高效率。此MOSFET適用于多種電源管理應用，如交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)轉換器、照明控制電路以及電機驅動等場景。在實際應用中，為了確保穩(wěn)定工作，需注意柵極驅動電壓要足夠高以使MOSFET完全導通，并且在電路設計時要考慮適當的散熱措施以避免過熱損壞。例如，在一個簡單的降壓轉換器電路中，可將FQD3N40TM作為功率開關元件使用，配合電感、二極管和輸出電容構建基本電路結構。

FQD3N40TM 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
400V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.4 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
7.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
230pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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