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FQB630TM

更新時間:2025-06-10 01:53:07

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FQB630TM外觀圖

FQB630TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FQB630TM 概述

FQB630TM是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關以及電機驅動電路等。在這些應用中，F(xiàn)QB630TM能夠提供高效的功率傳輸，同時減少熱損耗。由于其良好的熱穩(wěn)定性和電氣性能，它也常用于電池充電器、適配器和其他便攜式設備中。使用時應注意適當的散熱設計，并確保柵極電壓不超過最大額定值以避免損壞。對于負載開關應用，推薦并聯(lián)一個適當大小的電容來吸收瞬態(tài)電流，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

FQB630TM 規(guī)格參數

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 25V
功率 - 最大
3.13W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)

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