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FQB4N90

更新時間:2025-05-17 03:54:03

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FQB4N90 概述

FQB4N90是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于高電壓應用場合。其最大漏源電壓可達900V，這使得它在高壓開關電源、功率因數(shù)校正電路以及工業(yè)控制等需要高耐壓的場景中表現(xiàn)出色。在反激式轉換器和推挽變換器中常會用到此款MOSFET。使用時需要注意柵極驅動電壓的選擇，一般建議驅動電壓為10 - 15V以確保MOSFET能完全導通，降低導通電阻。同時，在進行PCB布局時應盡量減小源極引線電感，以減少開關過程中的電壓尖峰，避免對MOSFET造成損壞。在并聯(lián)多個MOSFET時要保證柵極驅動電路的一致性，防止電流分配不均。

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