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FQB2NA90TM

更新時間:2025-06-12 08:39:46

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產品型號
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封裝/批號
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷

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FQB2NA90TM外觀圖

FQB2NA90TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FQB2NA90TM 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
900V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.8 歐姆 @ 1.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
680pF @ 25V
功率 - 最大
3.13W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)

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