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FQA85N06

更新時間:2025-07-13 02:16:13

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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15402
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房間現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢。

深圳市源代電子有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市科鑫美電子有限公司
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FQA85N06外觀圖

FQA85N06

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

FQA85N06 概述

FQA85N06是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流能力的特點?；A描述方面，它能在VDS為60V條件下工作，連續(xù)漏極電流ID可達85A，適用于需要高效功率轉換的應用場景。典型應用場景包括電源管理、電機驅動、負載切換等。在電源管理系統(tǒng)中，可用于DC-DC轉換器或者電池充電電路里做開關管使用；在電機驅動應用里可作為H橋或半橋電路中的功率開關元件。使用時應注意根據(jù)實際工作電流選擇合適的散熱措施，并確保柵極驅動電壓足夠以降低導通電阻，提高系統(tǒng)效率。在設計電路時，需注意MOSFET的開關速度與驅動電路匹配，避免出現(xiàn)過沖或振蕩現(xiàn)象。

FQA85N06 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
450
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
112nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4120pF @ 25V
功率 - 最大
214W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3PN
包裝
管件

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FQA8N80_F109
FQA8N80C
F4558

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