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FDY302NZ

更新時間:2025-06-19 15:16:06

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FDY302NZ外觀圖

FDY302NZ

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 20V SC-89-3

封裝:SC-89，SOT-490

FDY302NZ 概述

FDY302NZ是ON Semiconductor生產的一款N溝道MOSFET，采用先進的PowerTrench工藝制造。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流能力達到4.4A，在小型DFN封裝中實現了卓越的電性能。典型應用場景包括負載開關、電源管理以及DC-DC轉換器等便攜式設備中。由于其緊湊的封裝尺寸和優(yōu)異的熱性能，特別適合空間受限的設計。在實際使用時，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保MOSFET完全導通，同時合理布局PCB以優(yōu)化散熱效果。設計電路時，建議參考ON Semiconductor官方提供的應用指南來獲得最佳性能。

FDY302NZ 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
600mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫歐 @ 600mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
60pF @ 10V
功率 - 最大
446mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-89，SOT-490
供應商設備封裝
SC-89-3
包裝
帶卷 (TR)

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