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FDS6900S

更新時間:2025-06-14 10:36:42

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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一級代理進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理

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公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣

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FDS6900S 概述

FDS6900S是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其最大漏源電壓為30V，適合用于低壓系統(tǒng)中。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關、電池充電電路等。在這些應用中，F(xiàn)DS6900S能夠有效降低功率損耗并提高效率。由于其低柵極電荷特性，特別適合高頻開關應用。此外，在需要高電流能力的場合也能表現(xiàn)良好，連續(xù)漏極電流可達20A。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計，以確保器件在高負荷條件下穩(wěn)定工作。建議參考官方數(shù)據(jù)表進行PCB布局設計，確保最小化寄生電感和電阻影響，從而優(yōu)化整體性能。對于新手用戶，可以先從簡單的線性穩(wěn)壓器電路開始嘗試，逐步熟悉其特性。

FDS6900S 規(guī)格參數(shù)

制造商
Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
10 V
漏極連續(xù)電流
6.9 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.03 Ohms
配置
Dual
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SO-8
封裝
Reel
下降時間
5 ns at Q1, 14 ns at Q2
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2 W
上升時間
5 ns at Q1, 14 ns at Q2
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
26 ns at Q1, 29 ns at Q2
零件號別名
FDS6900S_NL

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