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FDS6689S

更新時間:2025-05-21 15:34:22

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封裝/批號
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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

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FDS6689S外觀圖

FDS6689S

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

FDS6689S 概述

FDS6689S是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。此款MOSFET的最大漏源電壓(Vds)為30V，典型應用場景包括負載開關、電源管理和電池保護電路等。它在筆記本電腦、智能手機和平板電腦等便攜式設備中表現(xiàn)尤為出色，因其能夠在節(jié)省空間的同時提供高效能的功率轉換和控制功能。在實際應用中，設計者應注意確保柵極驅動電壓足夠高以充分開啟MOSFET，并且要考慮PCB布局對散熱性能的影響。例如，在構建一個高效的降壓轉換器時，可以將FDS6689S作為同步整流管使用，這樣可以幫助減少傳導損耗并提高整體效率。此外，由于其快速的開關速度，適當?shù)脑O計還可以降低EMI干擾。

FDS6689S 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
16A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.4 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
78nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3290pF @ 15V
功率 - 最大
1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)

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