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FDS4501H

更新時間:2025-07-03 13:46:37

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

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原裝現(xiàn)貨長期供應

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原裝優(yōu)勢有貨

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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7300
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FDS4501H外觀圖

FDS4501H

Fairchild Semiconductor FET - 陣列

MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

FDS4501H 概述

FDS4501H是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關應用。其最大漏源電壓為-60V，連續(xù)漏極電流可達-7.2A（在25°C條件下），使其成為低壓側(cè)開關的理想選擇。該MOSFET常用于電源管理電路、負載切換、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用場景。由于其低柵極電荷和低輸入電容，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換，在便攜式設備和工業(yè)控制系統(tǒng)中廣泛應用。在使用時應注意散熱設計，確保工作溫度不超過最大額定值以保障可靠性。

FDS4501H 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
PowerTrench®
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V，20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.3A，5.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
18 毫歐 @ 9.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1958pF @ 10V
功率 - 最大
1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDS4501H-NDFDS4501HFSTR

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