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FDS3590

更新時間:2025-06-06 23:00:15

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深圳市榮軒電子商行
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市賽思爾科技有限公司
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深圳市龍勝微科技有限公司
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FDS3590外觀圖

FDS3590

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

FDS3590 概述

FDS3590是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率管理應用。其最大漏源電壓為-30V，適合用于低壓電路中。典型應用場景包括負載開關、電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電電路等便攜式電子設備中。由于其出色的熱性能和低功耗特點，在需要高效率和緊湊設計的場合尤為適用。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個限流電阻以防止過沖電壓損壞MOSFET，并確保散熱良好，特別是在大電流條件下工作時。對于驅(qū)動電路設計，需注意柵極電容的影響，選擇合適的驅(qū)動芯片或電路來保證可靠開啟和關閉MOSFET。

FDS3590 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
39 毫歐 @ 6.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1180pF @ 40V
功率 - 最大
1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDS3590-NDFDS3590TR

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