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FDPF20N50T

更新時間:2025-05-16 20:33:49

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FDPF20N50T外觀圖

FDPF20N50T

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FDPF20N50T 概述

FDPF20N50T是由On Semiconductor（安森美半導體）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于高電壓和大電流的應用場景。其最大漏源電壓Vds為500V，連續(xù)漏極電流Id在25°C時可達20A。此MOSFET常用于開關電源、電機驅(qū)動、逆變器以及照明系統(tǒng)中，尤其適合需要高壓側開關的場合。由于其低導通電阻Rds(on)特性，能夠有效降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。在實際應用中，需注意柵極驅(qū)動電路的設計，確保提供足夠的驅(qū)動電壓以完全開啟MOSFET。此外，在高頻應用時，應考慮適當?shù)纳岽胧┎?yōu)化PCB布局以減少寄生電感影響。設計時可參考典型升壓轉(zhuǎn)換器或半橋拓撲結構進行電路搭建，同時關注輸入輸出濾波電容的選擇以保證穩(wěn)定工作。

FDPF20N50T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
230 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
59.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3120pF @ 25V
功率 - 最大
38.5W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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