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FDP047N10

更新時間:2025-06-12 11:19:01

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費送樣

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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深圳市譽輝天成電子有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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深圳市群川盛達電子有限公司
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深圳市石芯電子有限公司
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一手工廠庫存，貨穩(wěn)/價低/快速

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深圳市華美銳電子有限公司
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FDP047N10外觀圖

FDP047N10

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

封裝:TO-220-3

FDP047N10 概述

FDP047N10是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件設(shè)計用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理電路、負載開關(guān)以及各種電源管理系統(tǒng)中。在實際應(yīng)用中，F(xiàn)DP047N10常被用作同步整流器或初級側(cè)開關(guān)元件，因其能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提高整體效率。對于電路設(shè)計者來說，在使用此MOSFET時應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保散熱設(shè)計充分，以維持器件在安全工作溫度范圍內(nèi)運行。此外，在高頻率應(yīng)用中，需特別關(guān)注寄生電感對電路性能的影響，建議采用緊湊布局減少回路面積，從而提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

FDP047N10 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.7 毫歐 @ 75A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
210nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
15265pF @ 25V
功率 - 最大
375W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220
包裝
管件

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FT232BL

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