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FDN358P

更新時間:2025-06-11 22:39:14

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

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20000
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FDN358P外觀圖

FDN358P

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FDN358P 概述

FDN358P是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，適合表面貼裝技術應用。其最大漏極-源極電壓為-20V，連續(xù)漏極電流可達-2.3A（在25°C條件下），非常適合用于低壓、中等功率的應用場景。此MOSFET常被應用于電池供電設備、負載開關和DC-DC轉(zhuǎn)換器等電路中。例如，在便攜式電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦中，可作為電源管理電路的一部分，用于控制電源通斷或?qū)崿F(xiàn)電壓調(diào)節(jié)功能。由于其低導通電阻（典型值為0.1Ω），有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。在實際應用時應注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓以確保完全開啟MOSFET，并考慮散熱設計以防止過熱損壞。同時，在高速開關應用中，需關注其開關特性，以優(yōu)化整體電路性能。

FDN358P 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
125 毫歐 @ 1.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
182pF @ 15V
功率 - 最大
460mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
3-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDN358PTR

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