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FDMS0308AS

更新時間:2025-07-04 18:00:28

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FDMS0308AS 概述

FDMS0308AS是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用先進的PowerTrench工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為-30V，在10V柵源電壓下的導通電阻典型值為4.5mΩ，適用于高效功率管理應用。這款MOSFET常用于電源管理電路、負載開關、電池保護電路等場景。在筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設備中，它能有效提高系統(tǒng)效率并降低功耗。在使用時應注意，由于是P溝道MOSFET，其驅(qū)動方式與N溝道有所不同，需確保正確的柵極驅(qū)動電壓以實現(xiàn)最佳性能。設計電路時，建議根據(jù)具體應用選擇合適的散熱方案，以保證器件可靠工作。

FDMS0308AS 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,978現(xiàn)貨
系列
PowerTrench?, SyncFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Ta），49A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.8 毫歐 @ 24A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3000 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），50W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-PQFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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