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FDI3632

更新時間:2025-07-03 21:18:54

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

FDI3632 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
110nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6000pF @ 25V
功率 - 最大
310W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設備封裝
I2PAK
包裝
管件
其它名稱
FDI3632-NDFDI3632FS

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