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FDG326P

更新時間:2025-07-05 00:43:33

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FDG326P外觀圖

FDG326P

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

FDG326P 概述

FDG326P是安森美半導體生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。它采用小巧的SOT-23封裝，具有低導通電阻特性，在4.5V柵源電壓下典型值為0.1Ω。該器件適用于電池供電設(shè)備、負載開關(guān)和電源管理應用。由于其小尺寸封裝和良好的導電性能，常用于智能手機、平板電腦等便攜式電子產(chǎn)品中作為電源控制元件。在實際應用中，使用時需注意最大漏極電流和功耗限制，建議在PCB設(shè)計時給予足夠的散熱面積以確保穩(wěn)定工作。若作為負載開關(guān)使用，可配合簡單的驅(qū)動電路實現(xiàn)對后端電路的有效控制。

FDG326P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
467pF @ 10V
功率 - 最大
480mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設(shè)備封裝
SC-70-6
包裝
帶卷 (TR)

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FDG312P_NL
FT232RL

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