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FDD6676AS

更新時間:2025-06-15 09:18:51

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FDD6676AS外觀圖

FDD6676AS

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD6676AS 概述

FDD6676AS是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關應用。其最大漏源電壓為-60V，適用于需要高效功率管理的電路中。典型應用場景包括電源管理、直流-直流轉換器、電機驅動以及各種負載開關電路。在電源管理系統(tǒng)中，F(xiàn)DD6676AS可以有效降低功耗，提高整體效率。設計時應注意其最大電流和功率耗散限制，以避免過熱損壞。建議使用適當的散熱措施，如散熱片或PCB銅箔面積增加散熱效果，確保器件在安全工作范圍內運行。對于高速開關應用，需優(yōu)化柵極驅動電路以減少開關損耗。

FDD6676AS 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
90A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.7 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
64nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 15V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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FT2232D

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