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FDB33N25TM

更新時間:2025-06-30 03:57:36

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
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封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳聞舟科技有限公司
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深圳市百諾芯科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市金銳力科技有限公司
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深圳市賽思爾科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)

深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司
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TO263/-
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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市博盛達電子有限公司
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深圳市博洋芯微電子有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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北京金州智業(yè)科技有限公司
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芯德微聯(lián)（深圳）電子有限公司
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1150+/TO263
原裝/報價當天為準

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FDB33N25TM外觀圖

FDB33N25TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FDB33N25TM 概述

FDB33N25TM是On Semiconductor公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。此MOSFET可在-55°C至175°C的溫度范圍內(nèi)正常工作，適合在較為惡劣的環(huán)境下使用。常見應(yīng)用場景包括電源管理、電機驅(qū)動以及直流-直流轉(zhuǎn)換器等。在電源管理中，可用于同步整流，提高效率；對于電機驅(qū)動，能提供精確控制；而在直流-直流轉(zhuǎn)換器里，可實現(xiàn)高效電能變換。使用時要注意其最大漏極電流為33A，最大漏源電壓為250V，在電路設(shè)計時要確保不超過這些參數(shù)以保證器件安全可靠運行。

FDB33N25TM 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
33A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
94 毫歐 @ 16.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
48nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2135pF @ 25V
功率 - 最大
235W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDB33N25TMTR

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FDB3652
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