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FDA16N50

更新時間:2025-06-23 07:55:31

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FDA16N50外觀圖

FDA16N50

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

FDA16N50 概述

FDA16N50是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高電壓和高頻率的應用場景。該器件的最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達16A，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，其典型導通電阻（Rds(on)）低至0.37歐姆，有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率。此款MOSFET常用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、逆變器以及各種工業(yè)控制設備中。其快速的開關(guān)速度和較低的輸入電容使得它非常適合高頻應用，可以有效降低開關(guān)損耗并提升整體性能。在電路設計中，建議確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的驅(qū)動電壓和電流以充分開啟MOSFET，并注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。

FDA16N50 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
16.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
380 毫歐 @ 8.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1945pF @ 25V
功率 - 最大
205W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3P
包裝
管件

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FDA16N50_F109
FDA1055-2R2MP3
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FDA1254-3R3M
FDA1254-4R7M
FDA1254-8R0M
FDN304P

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