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FCP22N60N

更新時間:2025-05-16 22:35:55

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市亨運電子有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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4379
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深圳市金銳力科技有限公司
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深圳市中納芯電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現貨林R Q2280193667

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FCP22N60N外觀圖

FCP22N60N

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

封裝:TO-220-3

FCP22N60N 概述

FCP22N60N是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓(VDS)為600V，連續(xù)漏極電流(ID)可達22A，具備低導通電阻和快速開關特性。這款MOSFET常用于交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)電源轉換器、電機驅動器、不間斷電源(UPS)系統等場合。在實際應用中，建議注意其柵極驅動電壓應保持在10V至20V之間以確保最佳性能，并且需要合理設計散熱方案以維持工作溫度在安全范圍內。電路設計時可考慮使用RC緩沖電路來抑制開關過程中的電壓尖峰，提高系統穩(wěn)定性。

FCP22N60N 規(guī)格參數

特色產品
FCPF22N60NT Super-Junction SupreMOS? MOSFETs
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SupreMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
22A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
165 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1950pF @ 100V
功率 - 最大
205W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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