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FCB20N60FTM

更新時間:2025-06-27 20:53:24

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市賽美科科技有限公司
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官網可查icscjh.com

深圳市萬佳電子貿易有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現貨林R Q2280193667

瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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原廠原裝現貨庫存支持當天發(fā)貨

深圳市萊克訊科技有限公司
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35568
FAI
TO263/1901+
原包裝進口正品現貨庫存-正規(guī)渠道

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FCB20N60FTM外觀圖

FCB20N60FTM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FCB20N60FTM 概述

FCB20N60FTM是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏極-源極電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達20A，在保證高效能的同時提供了良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。這款MOSFET常用于電源管理、電機驅動、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)以及工業(yè)自動化設備中。在具體應用時，建議關注其柵極驅動電路的設計，確保提供足夠的驅動電壓以實現最佳性能。同時，在布局PCB時應注意盡量減小寄生電感，以避免開關過程中產生過沖電壓。此外，合理選擇散熱器并優(yōu)化熱設計對于提高整體系統(tǒng)的可靠性至關重要。

FCB20N60FTM 規(guī)格參數

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SuperFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
98nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3080pF @ 25V
功率 - 最大
208W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FCB20N60FTMTR

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FCB20N60
FCB20N60F
FCB20N60TM
FCB20N60TM-NL
FR104

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