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[新型存儲器簡介] 穩(wěn)定可靠,高速存儲,上億次的擦寫壽命, |
| 作者：zlgmcu 欄目：MCU技術(shù) |
RamTRON半導(dǎo)體 請訪問www.zlgmcu.com以獲取更詳細信息及采購方式. 什么是鐵電存儲器？ 相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM（static random access MEMORY)和動態(tài)存儲器DRAM （dynamic random access MEMORY)。 SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)。RAM 類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。  非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器（ROM）技術(shù)。 正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術(shù)包括有EPROM (幾乎已經(jīng)廢止）、EEPROM和FLASH。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。 鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。 鐵電存儲器技術(shù)原理 當(dāng)一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當(dāng)原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。  鐵電存儲器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。  Ramtron的鐵電存儲器技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)相當(dāng)?shù)某墒�。最初的鐵電存儲器采用兩晶體管/兩電容器（2T/2C)的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致元件體積相對過大。最近隨著鐵電材料和制造工藝的發(fā)展，在鐵電存儲器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標(biāo)準(zhǔn)電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結(jié)構(gòu)可以像DRAM一樣，使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結(jié)構(gòu)相比，它有效的把內(nèi)存單元所需要的面積減少一半。新的設(shè)計極大的提高了鐵電存儲器的效率，降低了鐵電存儲器產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。 Ramtron同樣也通過轉(zhuǎn)向更小的技術(shù)節(jié)點來提高鐵電存儲器各單元的成本效率。最近采用的0.35微米的制造工藝相對于前一代0.5微米的制造工藝，極大的降低了芯片的功耗，提高了單個晶元的利用率。  所有這些令人振奮發(fā)展使鐵電存儲器在人們?nèi)粘Ｉ畹母鱾�領(lǐng)域廣為應(yīng)用。從辦公室復(fù)印機、高檔服務(wù)器到汽車安全氣囊和娛樂設(shè)施，鐵電存儲器不斷改進性能在世界范圍內(nèi)得到廣泛的應(yīng)用。  鐵電存儲器產(chǎn)品應(yīng)用  * - 本貼最后修改時間：2007-5-8 16:24:08 修改者：zlgmcu |
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